本年度，继成果“Pressure-induced photo responsiveness enhancement and positive–negative switch in Bi2S3”（《Bi2S3中的压力诱导光响应增强和正负光电流转换》）发表在Applied Physics Letters（《应用物理快报》）上之后，近日，冯振豹副教授课题组在压力调控半导体材料的光电性质方面再次取得研究新进展，相关研究成果以“Pressure-induced photo responsiveness enhancement and positive–negative switch in ZrSe2”（《ZrSe2中的压力诱导光响应增强和正负光电流转换》）为题再次发表在国际知名期刊Applied Physics Letters（《应用物理快报》，Nature index期刊）上。论文第一作者为我院2021级研究生王娜。冯振豹副教授，曹紫昱教授和刘才龙教授为论文共同通讯作者。

　　近年来，二维层状金属二硫属化物作为一个具有独特物理、化学和电子特性的庞大材料家族，在各个领域引起了广泛关注。ZrSe2作为IVB族过渡金属二硫族化物的成员，在光电应用中表现出良好的性能。本项工作中，我们在0~26.5 GPa压力范围内利用高压原位金刚石对顶砧实验技术和全势线性缀加平面波理论计算方法系统地研究了ZrSe2在高压下的光电性能。在13.5GPa时，ZrSe2的光电流增加了三个数量级，显著高于初始值。在23.5GPa以上，ZrSe2表现出奇特的负光电响应，这可归因于压力引起的金属化相变导致的光热效应。本研究揭示了压力在调控层状材料光电性能中的关键作用，以及层状ZrSe2材料在压力响应光电器件中的潜在应用价值。

　　该项工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、山东省自然科学基金、山东省高校青年创新团队科技计划和山东省泰山学者专项建设基金等项目的资助。

　　（审核 吴成）